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近幾年記憶體廠沒有太大的擴產動作，以DRAM市場來說，三星、SK海力士、美光從2015年以來的「位元出貨」維持成長，主要是靠製程由30奈米微縮到20奈米或1x奈米來達標。但是，透過製程微縮，會導致產能自然減損，如生產30奈米DRAM且月產能達12萬片的12吋廠，若完全微縮到20奈米，單片晶圓的同容量顆粒產出雖可提高5成以上，但月產能將降至10萬片左右。
在產能成長有限下，需求端的成長卻持續加速，主要動能來自於裝置搭載量的跳躍增加。
但在需求上，單機搭載容量同樣出現大躍進，如筆電去年起大量以固態硬碟（SSD）取代傳統硬碟（HDD），去年初SSD搭載主流為128GB，去年底已成長至256GB，今年以來賣最好的電競筆電更直接搭載512GB。
智慧型手機的搭載容量同樣倍數成長，如2015年的iPhone主流機種搭載64GB，但去年已提高至128GB，還推出內建256GB的高階機種。不僅如此，中國品牌銀行私人貸款新車購車貸款條件如華為、OPPO、Vivo等也向iPhone主流儲存容量靠攏，在高階機種的行動式NAND Flash搭載量主流，已從32/64GB攀升至64/128GB，也帶動中低階機種的搭載量上升。
在NAND Flash市場，去年下半年以來最大的產能成長瓶頸，在於上游原廠在轉換3D NAND時良率不佳。由於蓋一座月產能達6萬片以上的新NAND Flash廠，投資額超過80億美元，包括三星、東芝及威騰、SK海力士、美光及英特爾等四大陣營，都是移轉2D NAND產能來生產3D NAND。也由於2D NAND的投片量減少，3D NAND產出良率不佳，導致NAND Flash市場位元成長停滯。
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